英飛凌IGBT模塊FF800R12KE7
北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊；可控硅模塊；晶閘管；二極管模塊；整流橋模塊；PLC模塊；電容；變頻器備件
第七代IGBT英飛凌FF800R12KE7

英飛凌IGBT模塊FF800R12KE7

北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊；可控硅模塊；整流橋模塊；二極管模塊；晶閘管；IPM模塊

產品參數：

FF800R12KE7  IGBT 模塊 溝槽型場截止 半橋 1200 V 800 A 底座安裝 AG-62MM 雙低飽和和快速溝槽 IGBT 模塊，

帶有 TRENCHSTOP™ IGBT7 和發射極控制的 7 二極管。

62 mm 1200 V, 800 A 低飽和壓降的Fast trench IGBT半橋模塊，采用TRENCHSTOP™ IGBT7和發射極控制第7代二極管。也可提供預涂導熱介質版本。

產品規格：

IGBT 類型：溝槽型場截止

配置：半橋

電壓 - 集射極擊穿：1200 V

電流 - 集電極 (Ic)：800 A

電流 - 集電極截止：100 µA

不同 Vce 時輸入電容 (Cies)：122 nF @ 25 V

輸入：標準

NTC 熱敏電阻：無

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應商器件封裝：AG-62MM

產品特征：

高功率密度

的 VCE，SAT

Tvj op = 175°C 過載

高爬電距離和電氣間隙

符合 RoHS 標準

4 kV AC 1 分鐘絕緣

CTI > 400 的封裝

通過 UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認證

優勢：北京京誠宏泰科技有限公司供應英飛凌IGBT模塊FF800R12KE7

具有更高電流能力的現有封裝，允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

高功率密度

避免 IGBT 模塊并聯

通過簡化逆變器系統降低系統成本

靈活性

高的可靠性

產品應用領域：

不間斷電源（UPS）

儲能系統

電機控制和驅動

商用、建筑和農用車輛 (CAV)

變頻器

北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經銷 、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導體銷售和電力電子行業解決方案的產業鏈供應商。

銷售國內外品牌電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優派克、

SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飛兆半導體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC，美國IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川；

英國西瑪，西班牙CATELEC等公司生產的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊；日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),

Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON，法國湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發、英國BHC，BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅動、光耦、變頻器主控板、驅動板，電源板，通信板，接口板

操作面板

IGBT是什么？

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT與MOSFET的對比

MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。

優點：熱穩定性好、安全工作區大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司供應英飛凌IGBT模塊FF800R12KE7

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產物。它的三個極分別是集電極（C）、發射極（E）和柵極（G）。

特點：擊穿電壓可達1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

IGBT的典型應用

電動機

不間斷電源

太陽能面板安裝

電焊機

電源轉換器與反相器

電感充電器

電磁爐

第七代IGBT型號：

FF900R12ME7P_ B11

FF450R12ME7_ B11

FF900R12ME7W_ _B11

FF900R12ME7_ B11

FF600R12ME7_ B11

FF800R12KE7

FF300R12ME7_ B11

FF750R12ME7_ _B11

FF750R17ME7D_ B11

FF225R17ME7_ _B11

FF1800R23IE7P

FF1800R23IE7

FF2400RB12IP7P

FF2400RB12IP7

F3L400R10W3S7F_ B11

F3L600R10W4S7F_ C22

FS3L200R10W3S7F_ B94

F3L 400R10W3S7_ _B11

FS3L200R10W3S7F_ B11

FP15R12W1T7_ B3

FP15R12W1T7

FP15R12W1T7P_ B11

FP25R12W2T7

FP50R12W2T7_ B11

FP25R12W1T7

FP50R12W2T7

FP35R12W2T7_ B11

FP10R12W1T7_ B11

FP35R12W2T7

FP25R12W1T7_ B11

FP25R12W2T7_ B11

FP15R12W1T7_ _B11

FP10R12W1T7_ B3 .

FP15R12W1T7P

FP100R12W3T7 B11